автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.13, диссертация на тему:Фазово-растровый метод контроля физико-механических характеристик изделий из силикатов

кандидата технических наук
Махов, Владимир Евгеньевич
город
Санкт-Петербург
год
2003
специальность ВАК РФ
05.11.13
цена
450 рублей
Диссертация по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам на тему «Фазово-растровый метод контроля физико-механических характеристик изделий из силикатов»

Оглавление автор диссертации — кандидата технических наук Махов, Владимир Евгеньевич

Введение.

1. Анализ современного состояния методов и средств контроля изделий из силикатов.

1.1. Основы формирования порошково-обжиговых покрытий.

1.2. Анализ методов расчета физических свойств силикатных материалов.

1.3. Анализ используемых методов контроля силикатных материалов.

1.4. Возможности оптических методов контроля для изделий из силикатов.

1.5. Постановка задач исследования.

2. Теоретическое обоснование фазово-растрового метода контроля.

2.1. Предпосылки для создания фазово-растрового метода контроля.

2.2. Математическая модель фазово-растрового метода контроля.

2.3. Принципы построения измерительных схем фазово-растрового метода контроля.

2.4. Определения физических свойств композиционных материалов, не являющихся коэффициентом обобщенной проводимости.

2.5. Выводы.

3. Разработка устройств фазово-растрового метода контроля.

3.1. Обоснование общей структурной схемы фазово-растрового контроля.

3.2. Основные узлы устройств фазово-растрового контроля.

3.2.1. Фазово-растровые модуляторы.

3.2.2. Интерферометр сдвига.

3.2.3. Двухчастотный гелий-неоновый лазер.

3.3. Фазово-растровый дилатометр.

3.4. Устройство для фазово-растрового контроля оптических капилляров.

3.5. Устройства для контроля прочностных свойств покрытий из силикатных материалов.

3.6. Выводы.

4. Методика контроля изделий из силикатов.

4.1. Особенности методики фазово-растрового контроля.

4.2. Анализ погрешностей фазово-растрового метода контроля.

4.3. Методика настройки оптических схем фазово-растрового контроля.

4.4. Методика контроля формирование высоко температурных покрытий.

4.5. Экспериментальное сравнение телевизионного и фазово-растрового метода контроля формирования силикатных покрытий.

4.6. Методика контроля оптических капилляров.

4.7. Методика контроля механико-прочностных свойств покрытий.

4.8. Автоматизация фазового измерения фазово-растрового метода.

4.9. Методика расчета комплекса свойств силикатных материалов с различной гетерогенной структурой.

4.10. Технико-экономическая эффективность фазово-растрового метода контроля.

4.11. Перспективы развития и области применения фазово-растрового метода при контроле других материалов и изделий.

5. Основные результаты работы.

6. Литература.

Введение 2003 год, диссертация по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, Махов, Владимир Евгеньевич

Силикатные материалы используются достаточно широко и с очень давних времен [1], что определяется широким спектром их полезных физико-химических свойств [2,3], в некоторых случаях совершенно уникальных. С другой стороны сырье для производства силикатных материалов является весьма доступным, а его запасы в природе практически неограниченны [4]. Совершенно очевидно, что в целом ряде случаев без силикатных материалов человек не может обойтись. В других случаях -на основе материалов из силикатных материалов удается получать совершенно новые виды уникальных по своим свойствам высокоточные изделия, например микроканальные пластины, пористые стекла, причем их себестоимость является весьма низкой и определяется только технологией их производства, которая также является достаточно простой. Известно, что достаточно часто экономически целесообразно использование силикатных материалов в виде покрытий (слоистая композиция) на некоторые другие конструкционные материалы, что позволяет получить изделия на известных материалах, например нержавеющая сталь, с требуемыми дополнительными свойствами (например, изоляционными). Это в свою очередь позволяет сочетать в одном изделии дополнительно целый ряд различных физико-механических свойств.

Все эти материалы все более используются во многих современных отраслях машиностроении, приборостроении и микроэлектроники, являющихся частью высокие технологии, и обладают в первую очередь самой высокой экономической эффективностью.

В основе получения силикатных материалов и изделий на их основе, состоящих изначально из композиции стеклообразующих окислов [5], лежат высокотемпературные технологические процессы, которые формируют достаточно сложную внутреннюю структуру самого материалов, в том числе микро неоднородную [6] и их конечные физические свойства в конечном итоге. В большинстве случаев, исходя из экономических соображений, формирование химической структуры и геометрической формы конечного изделия производят в едином технологическом процессе без последующей механической или иной обработки. Это также относится к получению силикатным покрытиям. Использование дополнительной механической обработки оправдано только для высокоточных оптических изделий, например деталей оптических приборов, так как неизбежно приводит к удорожанию изделия по отношению к стоимости исходного сырья.

Хотя история развития человеческого общества тесно переплетена с использованием силикатов, научный подход к изучению этих соединений сформировался относительно поздно - в конце XVIII - начале XIX столетия вместе со становлением химической науки [7]. Это связано со сложностью строения, вариациями химического состава, нерастворимостью и химической пассивностью, способностью к переходу в нестабильные состояния и высокой температурой плавления [8].

Очевидно, что количество комбинаций по составу и соотношению стеклообразующих окислов входящих с состав силикатного материала может быть неисчислимо огромным, также велико количество возможностей задание температурных параметров технологического цикла, т.е. температурно-временных условий его получения. Поэтому только путем глубокого научного изучения силикатных материалов, которое проводится во многих странах, неизбежно приводит к успешному созданию новых требуемых материалов и технологий [9].

В настоящее время стало привычным и массовым использование высоких технологий, например в средствах связи, микроэлектроники, машиностроении, медицине и др., где идет непрерывная тенденция совершенствование технологических процессов в плане повышения качества и экономичности высокоточных изделий, замене дорогостоящего сырья более дешевым и доступным. Все это приводит к дальнейшему увеличению использование материалов на основе силикатов.

В целом наши знания о силикатном материале опираются, с одной стороны, на знание о химической и фазовой структуры материала [10] (в том числе геометрии взаимного расположения фаз), с другой - на физических свойствах материала.

Совершенно очевидно, что любое производство опирается с одной стороны на контроль технологического процесса, с другой на контроль качества получаемого изделия. Издавна для лабораторного изучения силикатных материалов использовались самые современные методы и средства контроля, такие как электронная микроскопия, рентгеноскопия; для контроля геометрических параметров конечного изделия средства оптической микроскопии; для контроля дефектов средства контроля на основе акустических методов. Изначально специфической особенностью изделий из силикатов является их внутренняя гетерогенная структура, а также наличие оптических свойств самого материала изделия.

В целом, как уже понятно, задачи контроля для изделий из силикатных материалов можно разделить на следующие виды:

1. контроль физико-химической структуры, определяющей физические и химические свойства изделия;

2. контроль геометрии и формы изделия, как в процессе технологического цикла, так и в конечном виде.

По типу производимый контроль можно разделить на технологический, когда производится контроль тех или иных параметров в технологическом процессе, и конечный контроль полученного материала или изделия.

Первая задача связана с заданием параметров технологического цикла, в то время как технологический цикл, в свою очередь определяет также конечные физико-химические свойства и геометрические параметры получаемого изделия. Приведем пример производства некоторого силикатного покрытия, используемого как электрический изолятор. Для получения покрытия с заданным физическим свойством необходимо задать толщину, дисперсность порошкового слоя, состав, а также температуру и время обработки. Для заданных параметров из исходного порошкового материала формируется слой покрытия определенной толщины. Изменение технологического цикла ведет к изменению физического свойства и получаемой толщине покрытия. Изменение исходного порошкового слоя также ведет к изменению толщины и свойства, влияя на технологические параметры цикла. Также имеется ограничение по толщине исходного порошкового слоя для получения бездефектного слоя покрытия, кроме того, для получения необходимого качества требуется нанесение нескольких слоев. Промежуточный контроль толщины слоев позволяет корректировать нанесение последующих слоев. Из приведенного примера видно, что качество изделия сопровождается наличием различных средств контроля, обеспечивающих весь технологический цикл производимого изделия.

Однако можно отметить, что непрерывный контроль формоизменения силикатных изделий в процессе их производства в силу указанных специфических особенностей до настоящего времени не является полностью решенной задачей. При этом наиболее целесообразным следует видеть задачу создания средств контроля не прерывающих технологического цикла производства, легко встраиваемых в технологическое оборудование и универсально перестраиваемых на различные объекты контроля.

Также для научно-исследовательских целей по изучению процесса формирования силикатных материалов в процессе технологического цикла их производства особое место занимают системы контроля, которые имеют в своей основе целый ряд специфических особенностей. Первой особенностью является воздействие на систему контроля внешних факторов, связанных с положением объекта контроля в процессе производства. Второй особенность связана с оптическими свойствами объекта контроля, которая создает трудности использования наиболее распространенных средств оптического контроля геометрических параметров изделий. Третьей особенностью является условия высокотемпературной зоны технологического процесса, переход которой к низкотемпературной зоне контроля искажает оптическое изображение объекта контроля.

В силу вышеизложенного можно определенно считать, что требуется совершенствовать методы контроля в технологическом процессе производства изделий из силикатов, которое приведет к повышение качества производимых силикатных изделий с заданным комплексом физических свойств с одной стороны, с другой совершенствование методики расчета требуемого набора физико-механических свойств как функции их гетерогенной структуры.

Для этого необходимо в первую очередь решить следующие задачи:

- получение аналитических зависимостей для определения тангенса угла диэлектрических потерь материалов из силикатов с гетерогенной структурой;

- разработка методики расчета требуемого набора физико-механических свойств как функции их гетерогенной структуры;

- создание автоматизированного программного комплекса расчета и моделирования свойств материалов из силикатов;

- разработка методики автоматизированного оптического контроля толщины силикатных покрытий, в процессе их высокотемпературного формирования;

- разработка методики автоматизированного оптического контроля геометрической формы оптических капилляров (внутреннего диаметра) в технологическом процессе;

- разработка программных объектов, эффективно реализующих указанные методы и свойства контроля и обеспечивающих возможность управления технологическими процессами;

- разработка методики построения виртуальных измерительного приборов на основе системы программирования Lab VIEW, реализующего автоматизированный контроль указанных изделий в условиях технологического процесса.

Решение этих задач позволит в первую очередь, зная физико-химические законы получения структуры силикатных материалов, производить оценку комплекса физических свойств этого материала, во вторую - пополнять наши экспериментальные знания о законах формирования силикатных материалов. Все это приведет к созданию наиболее экономически выгодных технологических процессов получения качественных изделий из силикатов.

Заключение диссертация на тему "Фазово-растровый метод контроля физико-механических характеристик изделий из силикатов"

3.6. Выводы.

1. Определена общая структурная схема устройств ФР контроля, позволяющая создать унифицированные узлы и элементы конструкций различных устройств неразрушающего ФР контроля. Определены принципы модульности для построения систем ФР контроля.

2. На основе принципов унификации разработаны технические средства контроля: фазово-растровый модулятор, который является основной частью устройств фазово-растрового неразрушающего контроля. Показаны возможности создания высокотехнологичного узла механического ФР модулятора, на основе зубонарезной технологии и особой конструкции его формы и электропривода.

3. Разработано устройство ФР дилатометра, позволяющего производить неразрушающий контроль толщины высокотемпературного формирования порошково-обжиговых силикатных покрытий. Разработанная при этом нагревательная ячейка вертикального типа позволяет мо-дульно разделить узлы технологического оборудования и системы контроля, что показывает возможность встраиваемости системы ФР контроля в стандартное технологическое оборудование, обеспечивающего программно временные температурные режимы.

4. Разработано устройство ФР неразрушающего контроля внутреннего диаметра оптических капилляров, также удовлетворяющих принципам модульности и встраиваемости в стандартное технологическое оборудование по их производству. Устройство включает в себя тот же узел ФР модулятора.

5. Разработаны и опробованы средства неразрушающего контроля механико-прочностных свойств силикатных покрытий на основе методов голографической и спекл интерферометрии, с последующей расшифровкой полученных интерферограмм устройством, реализованной на ФР методе.

6. Построение всех рассмотренных устройств ФР неразрушающего контроля потребовало разработки минимального количества дополнительных технических средств. При этом такие технические средства контроля как ФР модулятор может быть использован практически во всех разрабатываемых приборах и устройствах ФР неразрушающего

Ф контроля.

Глава 4.

Методика неразрушающего контроля изделий из силикатов.

4.1. Особенности контроля изделий из силикатов.

Приборы и устройства, реализующие метод ФР контроля относятся к классу оптико-электронных приборов [65]. Многие методологические аспекты такого контроля соответствуют естественно принятым методикам контроля в оптическом приборостроении [105]. Однако, существуют некоторые особенности, связанные в первую очередь с характером контролируемых объектов (которые на первой стадии могут иметь вид слабосвязанного порошкового материала), во вторую - с условиями проведения ФР контроля (при высоких температурах контролируемого изделия). Поэтому в первую очередь необходимо учитывать особенности контроля при высокотемпературном режиме объема, в котором находится контролируемое изделий. Везде далее нами будет рассматриваться случай формирования порошково-обжиговых силикатных покрытий. Второй специфической особенностью ФР контроля является также то, что в результате ФР контроля происходит определение некоторого комплексного критерия от геометрических параметров изделия (гл.2.1).

Главной специфической особенностью, для рассматриваемого метода ФР контроля силикатных материалов и изделий, является внутренняя структура такого материала (гетерогенная) с одной стороны, с другой -его оптические свойства, определяемые оптическими свойствами фаз и структурой материала.

Эта особенность более всего сказывается при контроле порошково-обжиговых покрытий, для оптических капилляров совокупность оптических свойств определяет возможность контроля его параметров. В определяемые критерии входит как информация о некоторых геометрических параметрах контролируемого изделия, так и информация о его гетерогенной структуре. В этом смысле для покрытий мы можем получить информацию о параметрах его структуры, однако эти вопросы в данной работе нами не рассматривались.

Другая принципиальная отличительная особенность ФР контроля связана с самим характером фазового контроля, которая требует методического рассмотрения вопроса как для оптических схем контроля, так и самого процесса определения разности фаз получаемых выходных сигналов. Как было показано в гл.2 в измерительной основе ФР контроля лежит суммарный растровый период некоторого растра, а не отдельный и не усредненный период перемещающейся растровой структуры. Возможности создания непрерывного перемещения растровой структуры требуют либо использования их радиальной, либо цилиндрической формы [99], что в принципе идеально не согласуется с линейным или плоским характером контролируемого процесса. Такое оптическое согласование требует дополнительное усложнение оптической схемы или определенной методики определения систематических погрешностей контроля. Вопрос использования твердотельных матричных фотоприемников в качестве растровой структуры может решить эту задачу, однако ставит целый ряд других вопросов: слепые области между элементами фотоприемника, пространственно-временная дискретизация сигналов, линейность преобразования и насыщение, взаимная засветка и др.

Другим вопросом методического характера является вопрос автоматизации процесса контроля, который является неотъемлемой частью цели разработки устройств подобного типа. Автоматизация процесса контроля предполагает в общем случае систему, позволяющую не только производить контроль и вводить данные в компьютерную систему, но и управлять параметрами самого технологическим процессом. Таким образом, устройство ФР контроля с автоматизированной системой определения контролируемого параметра, должна быть встраиваемым модулем в имеющееся технологическое оборудование.

Рассмотрение всех этих вопросов лучше начинать с анализа возможных погрешностей ФР контроля с точки зрения оптико-электронного прибора. В результате такого анализа помимо определения диапазонов и погрешностей измерительного процесса выявляются вопросы методики контроля, требования к оптической системе контроля, необходимые параметры осветительной системы.

Далее необходимо рассмотреть вопросы, связанные с оптической схемой ФР метода контроля, применительно к рассматриваемому объекту и условиям проведения контроля. В этом случае будут выявлены необходимые и дополнительные каналы для калибровки и настройки, которые необходимо предусмотреть в построении автоматизированной системе регистрации измерительного процесса.

Последним вопросом построения ФР устройств является определения способа определения контролируемого параметра в свете построения комплекса автоматизированной системы контроля. Ясно, что этот вопрос не может решаться однозначно, необходимо учитывать технико-экономические требования к решению поставленной задачи.

4.2. Анализ погрешностей фазово-растрового метода контроля.

Оптические методы контроля, такие гак голографическая интерферометрия [42], спекл- интерферометрия [44], а также использующие растровый способ модуляции и фото регистрации [65] могут иметь преимущество, обозначенное ранее как помехозащищенность процесса контроля. Имеет смысл подробно обсудить вопросы влияние различного рода помех и влияния внешних факторов на погрешность такого контроля, в том числе для выяснения возможного точности такого контроля.

Погрешность ФР методов контроля возникают в различных частях узлов измерительной схемы и их соответственно можно разбить на следующие категории:

1. погрешности оптической схемы, вызванные позиционированием самого объекта в процессе контроля;

2. погрешности оптической схемы, вызванные когерентным шумом источника освещения;

3. погрешности, вносимые растровым модулятором;

4. погрешности электрической схемы регистрации и усиления электрических сигналов;

5. погрешности определения формы сигнала (оцифровки);

6. погрешность определения взаимных фазовых характеристик полученных сигналов.

В то же время эти факторы, оказывающие влияние на погрешность измерения, можно в свою очередь разделить на группы по характеру их воздействия на результат контроля (измерения): а), приводящие к постоянной систематической погрешности для каждого объекта или различной для различных объектов контроля, по заранее известному закону; б). приводящие к систематической погрешности для одного объекта при повторных измерениях в равных условиях; в), приводящие к случайным погрешностям.

Первая группа факторов не представляет принципиального интереса, так как она входит в обязательную программу калибровки. Вторая и третья группа определяет точность контроля, поэтому является основной для дальнейшего детального рассмотрения.

Рассмотрим отдельно влияние каждой группы факторов соотносительно с типом влияния их на результат контроля.

Погрешности, связанные с позиционированием объекта контроля вызывают изменение оптического увеличения схемы, что приводит к прямому воздействию на результат измерения [48]: п У Г где а — положение предмета от главной плоскости оптической системы, /- фокусное расстояние оптической системы, J3 - линейное увеличение оптической системы.

В рассматриваемых нами устройствах ФР контроля процесс измерения основан не на модуляции сфокусированных изображений, а на модуляции пространственных частот распределения освещенности пространственной растровой структурой (суперпозиция периодических структур). Поэтому для более детального анализа погрешностей оптической схемы, производящей перенос световых реперных меток в плоскость растрового модулятора, следует использовать аппарат спектрального анализа (Фурье оптика). При этом объектив рассматривается как система, производящее Фурье преобразование с фазовым множителем, определяемым параметром расфокусировки. Однако, в первом приближении можно получить достаточно хорошие результаты, используя для описания указанных погрешностей законы геометрической оптики.

Помимо линейного увеличения размера изображения /3 для контролируемого объекта происходит смещение плоскости изображения, в плоскости растровой системы увеличение размера изображений реперных меток (расфокусировка), в силу несимметричности измерительных каналов относительно оптической оси - перераспределение освещенности в изображений реперных меток, что оказывает непосредственное влияние на результат фазовых измерений. Точный расчет распределения освещенности в реперных метках можно произвести путем Фурье анализа [85], при котором проектирующую оптическую систему световых реперных меток в плоскость растрового модулятора математически описываются преобразованием Фурье.

В некоторых случаях изменение позиционирования является частью ФР метода (например в случае ФР дилатометра, где в результате контроля происходит смещение контролируемой поверхности). В этом случае необходимо считать систематической погрешностью метода, которая должна быть учтена путем соответствующего расчета и калибровки. В остальных случаях необходимо определить допуск на позиционирование объекта контроля.

В эту группу можно также включить некоторые другие факторы оптического характера, которые могут оказывать влияние на погрешность контроля, так например, в случае ФР дилатометра случайные изменение показателя преломления, связанные с тепловыми потоками.

В оптических схемах имеющих в качестве источника освещения лазер, применение которого оправдывается возможностью получения гомоцентрического пучка лучей, имеется когерентный шум (спекл шум) — зернистая структура оптического изображения случайного характера (рис.41 а).

Из литературы известно, что характерный размер зернистой структуры, определяется апертурой оптической схемы [42]: ъ - ** us D

4.2) где bs - размер спеклов, Х- длина волны света, z - расстояние от апертуры оптической системы, D - диаметр апертуры оптической системы.

I3EAL TUKSFEflhJMlTICM

00.1300 ос. от

ОС. .01 ю ос.о tot

00.0MX) 00 ООП

00. .001 о 00.0001

Вх.Сигнал (мкВ) шахи

Вых.Код

J4M tFAHSft * FL4CT ION

24 « 72 96 120 U4 160 192 216

С 2* 46 72 36 120144 166 19! 210

Рис. 41. Факторы шума и дискретизации. а). Шум спекл структуры; б). Идеальная функция преобразования сигнала в код; г). Реальная функция преобразования в код.

Основным элементом измерительной схемы ФР метода является растровый модулятор. Как было описано [75,99] могут быть использованы модуляторы различной конструкций, в т.ч. электромеханические цилиндрического типа. Поэтому, необходимо рассмотреть те факторы, которые вносят погрешность в измерительный процесс. Как было указано ранее [99], цилиндрический растровый модулятор представляет собой тонкостенный металлический цилиндр (рис.28), на поверхности которого прорезаны параллельный прорези. В связи с этим, могут иметь место следующие факторы, вносящие погрешность в систему контроля: а). неточность изготовления прорезей; б), экранирование в разной степени толщиной прорези лучей светового потока разного наклона; в), погрешности, вносимые расстоянием между двумя реперными метками на поверхности растра; г), погрешности, вносимые электроприводом модулятора;

После регистрации модулированных световых потоков, возникают погрешности электрической схемы, вызваны следующими видами помех:

1). прямого действия; 2). помехой непрямого действия.

Помеха прямого действия напрямую воздействует на сигнал накла-дываясь на напряжение сигнала, искажая сигнал на входе усилителя и как следствие на его выходе.

Помеху прямого действия в теории электрической совместимости называют противофазной, т.к. действует на потенциалы входов в проти-вофазе. Помеха непрямого действия оказывает опосредованное воздействие на выходное напряжение усилителя, не изменяя входного, например насыщение каналов усилителя, что приводит к искажению сигналов.

Погрешность определения фазовых характеристик (определения разности фаз) является особым вопросом в контексте рассматриваемых методов. Во-первых, получаемые сигналы имеют достаточно широкий спектральный состав, который естественно урезается снизу и сверху, во-вторых, исходные сигналы не имею правильной формы. В отличие от многих измерительных методов, в которых происходит непосредственное сравнение измеряемой величины с копией эталона (в этом случае можно аттестовать метод), либо произвести вычисление измеряемой величины по формуле (косвенно аттестуемые методы) в нашем случае следует заранее определить алгоритм определения фаз сигналов, в зависимости от которого может иметь место разные результаты.

Помехи в ФР методе (в основе которого лежат фазовые измерения) могут представлять серьезную проблему и этому вопросу следует уделить достаточное внимание.

Помеха непрямого действия оказывает опосредованное воздействие на выходное напряжение усилителя. В нашем случае фазовых измерений, при выбранной методики скалярного произведения форм сигналов, этот вид помех не оказывает существенного влияние на результат измерения.

При автоматизации процесса ФР контроля важным является вопрос ввода и оцифровки полученных сигналов. Мы предполагаем, что для этих целей будет использоваться компьютерная система и плата DAQ. Процесс считывания сигналов называют процессом сканирования. В нашем случае последовательное считывание по каналам получается естественным образом, так как для всех каналов используется один и тот же операционный усилитель. В этом случае необходимо наличие переключателя каналов, которым управляет канальный таймер. Случайная погрешность определяется случайным изменением периодов сигнала.

Используемый для операций аналогового ввода таймер канала обеспечивает аппаратно- синхронизированный сдвиг между каналами в пределах однократного считывания данных. Если требуется изменить частоту сканирования, то для этой цели можно использовать программные функции ожидания, или ожидание до начала следующего интервала, или же использовать одну из операций синхронного ввода/вывода.

Так или иначе, вопросы ввода сигналов, помех могут ограничивать погрешность фазовых измерений. В дальнейшем мы будем считать, что имеющиеся аппаратные средства позволяют нам получить погрешность измерения разности фаз идеальных периодических сигналов на уровне 1°, а для реальных сигналов, получаемых от ФР модулятора 2° - 3°.

4.3. Методика настройки оптических схем фазово-растрового контроля.

Как уже говорилось ранее, для обеспечение заданной погрешности контроля во всех ранее рассмотренных в гл.З схемах устройств ФР метода, необходима во первых методика определения параметров оптической схемы данного устройства, во вторых - методика настройки электрических измерительных схем, в третьих - методика идентификации результатов контроля для конкретных типов изделий.

Любое оптическое устройство контроля, выполненное как для лабораторных, так и для промышленных целей, которое включает в себя ряд оптических элементов, должно предусматривать определенные настройки их взаимного расположения (юстировки), которые можно условно по предназначению разделить на два типа. Первый тип юстировок используется для настройки заданных геометрических параметров схемы, компенсирующие неточность изготовления механических узлов закрепления оптических деталей и узлов [105]. Второй тип юстировок предусматривает настройку оптической схемы на контролируемый объект, компенсируя неточность позиционирования объекта контроля.

Элементы юстировки определяют возможность минимального, и в то же время достаточного набора перемещений каждого из оптических элементов, которыми достигается точное расположение элементов в оптической схеме с одной стороны, с другой стороны обеспечить выполнить необходимую цепь последовательности операций по настройке, позволяющую обеспечить их точное расположение. В процессе юстировки чаще всего используются вспомогательные оптические методы и оптико-механические приспособления позволяющие определить и настроить каждый юстируемый оптический элемент в оптической цепи. Во всех ранее рассмотренных устройствах ФР контроля можно выделить следующие виды необходимых юстировок для оптических элементов:

1. Преобразование исходного гомоцентрического когерентного пучка лучей лазерного источника, используемого для освещения объекта контроля или формирования световых реперных меток.

2. Заданное угловое расположение оптических осей оптических деталей и узлов в оптической схеме ФР контроля.

3. Задание положения предметной плоскости и плоскости изображений световых реперных меток, с получением заданного оптического увеличения оптической системы переноса изображения.

Рассмотрим особенности методики для каждого из этих типов оптической юстировки.

Для преобразования гомоцентрического пучка лучей лазерного источника света 1 (рис.42) в рассмотренных ранее схемах используется оптическая телескопическая система (Кеплера), состоящая из короткофокусного объектива (микро объектива) 2, точечной диафрагмы 3, длиннофокусного объектива 4 расположенных на оптической оси лазера. В общем случае для обеспечения возможности такого размещения этих элементов в устройстве каждый из перечисленных элементов должен иметь в оптической схеме перемещение по трем координатам (по двум координатам для первого объектива 2) и две координаты углового перемещения (кроме диафрагмы 5).

Рис. 42. Юстировка узлов оптической системы ФР контроля.

-He-Ne лазер; 2-микрообъектив; 3-точечная диафрагма; ^-объектив; 5-экран с отверстием; (5-экран; 7-плоскопараллельная пластина; экран; 9-объектив; УО-диффузно отражающий экран; / /-экран;

12- зеркально- диффузно отражающий экран; 13- проектарующий объектив; 14,15- диффузно отражающий экран; /6,77,/5-экраны.

Рассмотрим один из вариантов методики такой юстировки. Временно установим дополнительную диафрагму 5, между лазером 1 и объективом 2 с отверстием для беспрепятственного прохождения основного пучка лучей лазера Ln на которой будем наблюдать обратно отраженный от поверхности первой линзы объектива 2 пучок лучей. Так как первая линза выпукла то на экране будет виден освещенный круг достаточно большого диаметра. Перпендикулярным перемещением по двум координатам X и /объектива 2 достигается совмещение оптических осей лазера и объектива путем получения симметричной осевой картины освещенности отраженного пучка лучей на диафрагме 5. В данном виде юстировки ввиду сферичности поверхности линз объектива соосность (параллельность осей) естественно не достигается. Не параллельность осей приводит к нарушению симметрии светового пятна на диафрагме 3, которая достигается угловым перемещением объектива посредством винтов основания объектива, которая вносит также смещения по осям X и У. При такой регулировки происходит уход ранее выставленной оси объектива, поэтому первую и вторую регулировки следует последовательно повторить несколько раз. Регулировка точечной диафрагмы 3 производится в один этап, перемещением ее по двум координатам X и Y, по достижению максимальной освещенности проходящих через нее пучков лучей и равномерности и симметричности освещенности на временно расположенном экране б, расположенном перед вторым объективом 4. Второй объектив, коллимирующий пучок лучей, должен иметь осевое перемещение для совмещения его фокуса с фокусом первого объектива, в результате которого выходной пучок имеет свойства плоскопарал-лельности. Для достижения этого за ним помещают эталонную плоскопараллельную пластинку 7 под некоторым углом к оси и экран 8 в обратном направлении для наблюдения картины интерференции от ее двух поверхностей. В процессе продольного перемещения объектива 4, т.е. совмещении его фокуса с фокусом объектива 2, на экране будет наблюдаться изменение картины интерференции (полосы равного наклона) от плоских граней пластинки 7. По мере сближения фокусов будет уменьшаться число полос интерференции, а при совпадении фокусных расстояний максимально равномерная освещенность. Для достижении равномерной освещенности по полю, возможно также поперечные и угловые перемещения объектива, т.е. его оси. В практике оптического приборостроения чаще всего используется несколько другая механическая схема юстировок, при которой коллимирующий объектив 4 имеет только продольное перемещение, а совмещение его оси достигается двух координатной угловой юстировкой лазера 1. В этом случае последовательность операций и методика будет несколько иной.

Для точного углового расположения оптических осей не кратных прямому углу (90°) в любом случае требуется дополнительное метрологическое средство, содержащее эталонные угловые меры сравнения. Сам процесс сравнения с эталоном может быть реализован с высокой степенью точности также интерферометрическим методом. Такой вид юстировки требуется для установления необходимого угла визирования световых реперных меток в схеме ФР дилатометра (рис.33) и для определения направления оптической оси системы формирования их изображений в плоскости ФР модулятора.

Для осуществления этого вида юстировки, нами в качестве углового эталона была использована эталонная многогранная оптическая призма (рис.43), зеркальные грани которой расположены на поверхности монолитного кварцевого цилиндра под углом с точностью 1'(угловая секунда). Данная призма имеет конструктивно внутреннюю металлическую обойму с калиброванным отверстием, что позволило ее использовать совместно с электроприводом также для калибровки растровой системы и электрического канала фазового измерения. U

Рис. 43. Угловая юстировка оптической схемы: а). Эталонная призма; б). Схема определения угловых размеров по эталону.

Рассмотрим схему установки определенного угла визирования световых реперных меток, при использовании эталонной призмы (рис.43). Эталонная угловая призма выполнена на кварцевом цилиндре наружным диаметром Dp=100 мм и высотой А„=12лш, имеет 36 зеркальных граней. Угловой шаг граней составляет ар=10° , а радиальная пофешность углового шага аттестована как 1 : а) б)

SAN„N,+n)<\" (в)

Для определения угла визирования световых реперных меток в схеме ФР дилатометра, эталонная призма устанавливается параллельно оптической схеме зеркал устройства в широком плоскопараллельном пучке лучей. На место образца помещается юстируемое полупрозрачное зеркало 2, которое интерферометрическим методом выставляется параллельно одной из граней призмы 1. Используя представленную выше эталонную призму (угловой шаг граней 10°), мы имели возможность задать целый ряд углов визирования пучка лучей. При использовании граней призмы с номером, который условно мы последовательно присвоили каждой последующей начиная с горизонтальной (номер 0) имеем ряд углов визирования, представленный в табл.6:

Установка возможных углов визирования.

Библиография Махов, Владимир Евгеньевич, диссертация по теме Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий

1. Шульц М.М. Стекло: Структура, свойства, применение / Соросовский Образовательный Журнал. 1996. № 3. С. 49-55.

2. Шульц М.М., Мазурин О.В. Современные представления о строении стекол и их свойствах. Л.: Наука, 1979. 197 с.

3. Мазурин О.В. Свойство стекол и стеклообразующих расплавов: Справочник, в 4-х т. / О.В.Мазурин, М.В.Стрельцина, Т.В.Ивайко-Швайковская. Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1980.

4. Торопов Н.А., Булак Л.Н. Кристаллография и минералогия. Л.: Изд-во лит. по строительству, 1972. 503 с.

5. Мазурин О.В. и др. Стекло: природа и строение. / О.В.Мазурин, Е.А.Порай-Кошиц, М.М.Шульц. -Л.: Ленингр. орг. о-ва «Знание», РСФСР, 1985. 31 с.

6. Барзаковский В.П., Добротин Р.Б. Труды Д.И. Менделеева в области химии силикатов и стеклообразного состояния. М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1960. 217 с.

7. Смолеговский A.M. Развитие представлений о структуре силикатов. М.: Наука, 1979. 231 с.

8. Либау Ф. Структурная химия силикатов. М.: Мир, 1988. 410 с.

9. Мазурин О.В. и др. Двухфазные стекла: структура, свойства, применение. / О.В.Мазурин, Г.П.Роскова, В.И.Аверьянов, Т.В.Антропо-ва., Отв.ред. Б.Г.Варшил; АН СССР, Ин-т химии силикатов им. И. В.Гребенщикова. Л.: Наука, Ленингр. отд-ние. 1991. - 275 с.

10. Андреев Н.С., Мазурин О.В., Порай-Кошиц Е.А., Роскова Г.П., Филипович В.Н. Явление ликвации в стеклах. Л.: Наука, Ленингр. отд. 1974. 200 с.

11. Скороходов В.В., Солонин С.М. Физико-металлургические основы спекания порошков. М.: Металлургия, 1984. - 159 с.

12. Кингери У.Д. Введение в керамику., М.: Литература по строительству, 1964. -534 с.

13. Скороход В.В. Реологические основы теории спекания., Киев, Наукова думка, 1972.- 151 с.

14. Махов В.Е. Влияние характера упаковки порошковых тел на процесс их высокотемпературного формирования. XI11 Межвузовская конференция молодых ученых, посвященная ХХУ11 съезду КПСС, «Химия и физика твердого тела», 1214 марта 1986 г.

15. Махов В.Е. Связь топологических особенностей порошковых тел с процессом формирования порошково-обжиговых покрытий. АН СССР, Научная конференция молодых ученых, посвященная ХХУ11 съезду КПСС, 4-6 февраля 1986 г.

16. Махов В.Е., Певзнер Б.З. Влияние типа структуры на свойства гетерогенных материалов. Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1985, № 9, с. 15991607.

17. Дульнев Г.Н. Коэффициент переноса в неоднородных средах. Л.: ЛИТМО, 1979.-24 с.

18. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Процессы переноса в неоднородных средах./Л.: Энергомашиздат, Ленингр. отд-ние, 1991.-247 с.

19. Дульнев Г.Н., Заричняк Ю.П. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Л.-Энергия, 1974. 264 с.

20. Андреев А.В., Мальтер B.JI. Теплопроводность огнеупорных материалов. -Электротехн. пром-сть. Электрохимия, вып.2, 1975. С.6.

21. Буевич Ю.А. об эффективной теплопроводности зернистых материалов. -Прикл.мат. и техн.физ., 1973, №4, С.57.

22. Кондорский Е.И. К теории магнитных свойств конгломератов и порошков.-Изв.АН СССР. Сер.: геогр. и геофиз., т. 14, №4, 1950. С.294.

23. Дульнев Г.Н., Заричняк Ю.П., Новиков В.В. Коэффициент обобщенной проводимости гетерогенных систем с хаотической структурой. Инж.-физ. журн.,1976, т.31, №1, С.150.

24. Оделевский В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем. -Журн. Техн.физики, т.21, №6, 1951. С. 667.

25. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.:Физматгиз, 1959.

26. Кирпатрик С. Перколяция и проводимость./ Пер. с англ., под ред.: В.К.Бонч-Бруевича. // В кн.: Теория и свойства неупорядоченных материалов. М.: Мир,1977, 249 с.

27. Клюев А.С. Автоматическое регулирование. М., Энергия, 1973. 392 с.

28. Кличев В.В., Сорокин A.M. и др. Автоматизированная система управления температурой объекта по заданной модели. Приборы и техника эксперимента. 1997, №4, С. 150-154.

29. Методы и приборы для точных дилатометрических исследований материалов в широком диапазоне температур. (Третье Всесоюзное совещание, тезисы докладов). Л., Госкомитет СССР по стандартам. 1984. 151 с.

30. Скворцов Г.Е., Панов В.А., Поляков Н.И., Федин Л.А. Микроскопы. Л.: Изд-во Мишиностроение. 1969. 512 с.

31. Ткаченко А.П., Кириллов В.И. Техника телевизионных измерений. Минск, Вышейшая школа, 1976. - 262 с.

32. Старцев В.О., Христафоров Д.А., Клюшниченко А.Б. Автоматизированный линейный дилатометр.// сб. «Физика и образование», Барнаул, изд-во БГПУ, 2000, С.116-123.

33. Махов В.Е., Певзнер Б.З., Хопов В.В. Анализ и выбор методов экспериментального изучения кинетики формирования высокотемпературных покрытий. в сб. Теория и расчет точных приборов, С.69-76, биб. указ. ВИНИТИ ДНР 1983, № 3.

34. Вольф М, Борн В. Основы оптики., Изд. 2-е. Перевод с англ. Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1973. 720 с.

35. Нагибина И.М. Интерференция и дифракция света: Учеб. Пособие для оптич. спец. вузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Машиностроение, Ленингр. отд-нте, 1985. - 332 с.

36. Дюрелли А., Парке В. Анализ деформаций с использованием муара. Пер. с англ. М.: Мир, 1974. - 360 с.

37. Земсков Г.Г. Лазерные устройства для измерения линейных размеров. Обзор.- Зарубежная радиоэлектроника, 1981, №4, С.48-53.

38. Застрогин Ю.Ф. Контроль параметров движения с использованием лазеров. -М.: Машиностроение, 1981. 176 с.

39. Джоунс Р., Уайкс К. Голографическая и спекл интерферометрия. Пер. с англ.- М.: Мир, 1986. 328 с.

40. Вест Ч. Голографическая интерферометрия. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 504 с.

41. Франсон М. Оптика спеклов. М.: Мир, 1980. - 178 с.

42. Власов Н.Г. Новое направление в интерферометрии основанное на фотографировании в когерентном и частично когерентном излучении. Научные труды ВНИИ стандартов, 1979, вып.38, С.22-44.

43. Hildebrand В.Р., Heines К.A., Multiple-wavelength and multiple-source holography applied to contour generation., J. Opt. Soc. Am., 1967, v.57, p.155.

44. Дичберн P. Физическая оптика. M.: Наука, 1965. - 636 с.

45. Неразрушающий контроль и диагностика: Справочник./ В.В.Клюев и др.// под ред. В.В.Клюева. М.: Машиностроение, 1995. -487 с.

46. Теория оптических систем. Учебник для вузов / Б.Н.Бегунов, Н.П.Заказнов, С.И.Кирюшин, В.И.Кузичев. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Машиностроение, 1981.-432 с.

47. Островский Ю.И., Бутусов М.М., Островская Г.В. Голографическая интерферометрия. М.: Наука, 1977. - 339 с.

48. Оптический производственный контроль. Под ред. Д. Малакары. М.: Машиностроение, 1985, - 400 с.

49. Шуман В., Дюба М. Анализ деформаций непрозрачных объектов методом го-лографической интерферометрии. Л.: Машиностроение, 1983.-190 с.

50. Ennos Е. Spekle interferometry. Progress in Optik./ Ed. E. Wolf. 1978, v.16. - P. 233-288.

51. Пригорский Н.И. Методы и средства определения полей деформаций и напряжений. М.: Машиностроение, 1983. 248 с.

52. Оптическая обработка информации. Под ред. Д. Кейсесента. М.: Мир, 1980.- 349 с.

53. Smith Н.М. (ed.) Holographic Recording Materials, Spriger-Verlag, Berlin, 1977. -264 p.

54. Голография. Методы и аппаратура./ Под ред. В.М. Гинзбурга и Б.М. Степанова. М., Сов. радио, 1974. 376 с.

55. Leith E.N., Upatnieks J. Wavefront reconstruction with diffused illumination and three dimensional objects. J. Opt. Soc. Am., v.54, 1964. P. 1295.

56. Gabor D., Stroke G.W., Restrick R., Funkhouser A., Brumm D. Optical image synthesis (complex amplitude addition and substraction) by holographic Fourier transformation. Phys. Lett., v.18, 1965. P. 116.

57. Burch J.M., Palmer D.A. Interferometric methods for the production of large gratings. Opt. Acta, v.8, 1961. P.73.

58. Карташов А.И., Эцин И.Щ. Методы измерения малых изменений разности фаз в интерференционных устройствах. УФН, 106, вып.4, 1972. - С.687-721.

59. Dandliker R. Heterodune holographic interferometru. Progress in Optics./ Ed. E. Wolf, v. 17, 1980. - P.3-84.

60. Ярив А. Введение в оптическую электронику. Пер. с англ. М.: Высшая школа, 1983.- 398 с.

61. Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света.-М.:Наука, 1970.- 298 с.

62. Дьяконов М.И., Фридрихов С.А. Газовый лазер в магнитном поле. УФН, 90, вып.4, 1966. - С. 565-600.

63. Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов: Учебн. пособие для вузов 2-е изд. Перераб. и доп. М.: Машиностроение, Ленингр. Отд-ние, 1983. - 696 с.

64. Василенко Г.И., Цибулькин Л.М. Голографические распознающие устройства.-М: Радио и связь, 1985.-312 с.

65. Пресс Ф.П. Формирование видеосигнала на приборах с зарядовой связью. М.: Радио и связь, 1981. -136 с.

66. Stevenson W.H. Optical frequence shifting by means of a rotating diffraction grating. Appl. Opt. v.9, 1970,- P. 649.

67. Grane R. Interference phase measurement. Appl. Opt. v.9,1969. P. 538.

68. Kaminov I.P. An Introduction to Electrooptic Devices, Academie Press, New York, 1974.

69. Применения лазеров. / пер. с англ. /Под ред. В.П. Тычинского М.: Мир, 1974. -446 с.

70. Александров Е.Б., Бонч-Бруевич A.M. ЖТФ, т.37, 1967. - с. 360.

71. Перина Я. Когерентность света. Пер. с англ. М.: Мир, 1974, - 367 с.

72. Thompson B.J. Studies in Optics.-Technical report. U.S. AFAL-TR-73-112, 1973.

73. Махов B.E., Потапов А.И. Гетеродинно-растровый метод контроля качества изделий. АН СССР «Дефектоскопия» № 10, 1989. - С. 68-84.

74. Махов В.Е., Потапов А.И. Общий подход в модели методов фазового контроля.// Неразрушающий контроль и диагностика окружающей среды, материалов и промышленных изделий: Межвуз. сб./ СЗТУ. СПб., 2003. - Вып.9. - 2003. -С.35-54.

75. Жарков П., Каратаев В.В., Никифоров В.Ф., Панов B.C. Использование виртуальных Инструментов LabVIEW. М.: Солон-Р, Радио и Связь, Горячая линия Телеком, 1999.-268 с.

76. Сена Л.А. Единицы физических величин и их размерности. М, Наука, 1977. 336 с.

77. Клаудан Дж., Сударшан Э. Основы квантовой оптики. Пер. с англ. М.: Мир, 1970,- 428 с.

78. Hanes G.R. Limiting precision in optical interferometru.- Can. J. Phus. v.37, 1959. P. 1283-1292.

79. Грешников В.А., Дробот Ю.Б. Акустическая эмиссия. Применение для испытания материалов. М.: Изд-во стандартов. 1976. - 272 с.

80. Аблеков В.К., Зубков П.И., Фролов А.В. Оптическая оптоэлектронная обработка информации. М.: Машиностроение, 1976. - 256 с.

81. Шварц Л. Математические методы для физических наук. Пер. с франц. М.: Мир, 1965.-412 с.

82. Литвененко О.Н. Основы радиооптики. Киев: Техника, 1974. - 208 с.

83. Гудмен Дж. Введение в Фурье оптику. М.: Мир, 1970. - 364 с.

84. Снеддон И. Преобразование Фурье. Пер. с англ. М.: ИИЛ, 1955. - 668 с.

85. Петровский И.Г. Лекции по интегральным уравнениям. М.: Наука. - 521с.

86. Сдвижков О.А. Математика на компьютере: Maple 8. М.: СОЛОН-Пресс. 2003.- 176 с.

87. Амундсен Майк, Смит Кэртис. Программирование баз данных на Visual Basic 5: Пер. с англ. М.: ЗАО «Издательство БИНОМ», 1998 г. - 896 с.

88. Махов В.Е., Певзнер Б.З. Об исследовании деформации методами гетеродинной голографической и спекл-интерферометрии. в сб. Точное приборостроение ДР2476пр - 84Деп., биб.указ.ВИНИТИ ДНР, №10, 1984, С.117.

89. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Сов. радио, 1977. -608 с.

90. Руднев О.Н., Лебедев В.Г. Повышение точности измерительных систем с вращающимися термоприемниками.- Измерительная техника, №7, 1975. С.63-65.

91. Гаврилов Г.А., Сотников Г.Ю. Разрешающая способность преобразователей оптического изображения на основе ПЗС. В кн.: Оптическая обработка изображений. - Л.: Наука, 1985. - С. 90-103.

92. Интегральная оптика. Под ред. Т. Тамира. Пер. с англ. М.: Мир, 1978. - 344 с.

93. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энероиздат, 1982. 320 с.

94. Махов В.Е. Методы расчета диэлектрических потерь в гетерогенных системах. -X Межвузовская конференция молодых ученых. «Химия и физика твердого тела», 1 -3 марта 1988 г.

95. Махов В.Е. К вопросу расчета диэлектрических потерь в гетерогенных материалах. АН СССР, Институт химии силикатов, Конференция молодых ученых, 27-29 февраля 1984 г.

96. Махов В.Е., Потапов А.И. Автоматизация гетеродинно-растрового контроля. Не-разрушающий контроль и диагностика окружающей среды, материалов и промышленных изделий: Межвуз. сб./ СЗТУ. СПб., 2003. - Вып.9. - 2003. - С. 35-47.

97. А.с. №1392354, 13.04.88, Бюллетень № 16. А.с. №1392354, кл. G 01 В 11/16. Способ определения температурной деформации образца и устройство для его осуществления./ В.Е.Махов, А.И.Потапов, (СССР) . №1392354. Заявл. 24.03.86; Опубл. 30.04.88, Бюл. №16.

98. Махов В.Е. Исследование поверхностных деформаций и напряжений с помощью гетеродинной голографической и спекл интерферометрии. в сб. Точное приборостроение, с.58-80, биб. указ. ВИНИТИ ДНР № 4, 1986. - С. 129.

99. Хопов В.В., Махов В.Е., Певзнер Б.З. Применение оптических методов регистрации деформаций при исследовании покрытий. XI Всесоюзное совещание по жаростойким покрытиям. 31 мая 2 июня 1983 г. — г. Тула.

100. Махов В.Е., Хопов В.В. Устройство для автоматизированной обработки голо-графических интерферограмм при определении деформаций диффузно отражающих объектов. В сб. Теория и Расчет точных приборов, с.66-68, биб. указ. ВИНИТИ ДНР № 3, 1983.

101. Справочник конструктора оптического приборостроения/ Под общ. ред. К.Н.Явленского. JI.: Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1989. 791 с.

102. Махов В.Е., Федотов А.В. Микротелевизионный микроскоп. АН СССР, Научная конференция молодых ученых, посвященная ХХУ11 съезду КПСС, 4-6 февраля 1986 г.

103. Махов В.Е., Федотов А.В., Певзнер Б.З., Наумова В.А., Бучин А.И., Плтапов А.И. Методика высокотемпературного контроля кинетики формирования материалов и покрытий. АН СССР XI11 Всесоюзное совещание по жаростойким покрытиям, 14-16 апреля 1987 г.

104. ГОСТ 18471-83. Тракт передачи изображения вещательного телевидения.

105. Махов В.Е., Потапов А.И. Принципы построения измерительных схем технологического контроля.// Неразрушающий контроль и диагностика окружающей среды, материалов и промышленных изделий: Межвуз. сб./ СЗТУ. СПб., 2003. -Вып.8. - СПб.: СЗТУ, 2003, С. 16-33.

106. М.Гук. Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия СПб: Издательство «ПИТЕР», 1999.-816 с.

107. Смит Дж. Сопряжение компьютеров с внешними устройствами. М., Мир, 2000 г. 266 с.

108. Предко М. Руководство по микроконтроллерам. Том 1. М.: Постмаркет, 2001. -416 с.

109. Предко М. Руководство по микроконтроллерам. Том 2. М.: Постмаркет, 2001. — 488 с.

110. ProSoft передовые технологии автоматизации (Все необходимое для автоматизации на базе PC). Industrial Automation with PCs ADVANTECH, ISO 9001 14001 том 91, M., 2001 r. http:/www.prosoft.ru.

111. The Measurement and Automation. Catalog 2000. Natonal Instruments, 2000. 880 P

112. Натан Гуревич, Ори Гуревич. Visual Bassic 5: Освой самостоятельно: Пер.с англ. -М.: ЗАО «Издательство БИНОМ», 1998 г. 576 с.

113. Рейсдорф Кент. Delphi 4: Пер. с англ. М.: ЗАО "Издательство БИНОМ", Лаборатория базовых знаний, 1999. - 752 с.

114. Джефри Тревис. LabVIEW для всех. — Н.Новгород: ТАЛАМ. / Перевод с англ. Н.А. Клушин (предварительный). 2003. - 640 с.

115. LabVIEW User Manual for Windows. National Instruments Corp., 1993. - 507 P

116. LabVIEW Tutorial for Windows. National Instruments Corp., 1993.-251 p.

117. LabVIEW Functions Reference Manual. National Instruments Corp., 1994. -260 p.

118. PCI-1710 Series 12/16 bit Multifunctions Card. User's Manual. Advantech Co., Ltd., 2001.- 110 p.

119. Н.Ю.Секунов, Обработка звука на PC. СПб: БХВ, Петербург, 2001 -1248 с.

120. Ulrich W.Muller. OSZI Version 1.0 с (Shareware-version) http:// www.summuller.de/auditester

121. Philips semiconductors, Product specification, Triacs, ВТ 136 series.

122. TERN Inc. 1724 Picasso Avenu, Davis, CA 95616 USA. http:// www.tern.com.

123. A.c.№1547654, кл. H 01 S 3/16. Активная среда для лазеров и способ ее изготовления./ А.И.Потапов, И.Ш.Насибуллин, В.Е.Поляков, В.Е.Махов, Г.С.Морокина, В.А.Татарский, А.И.Козбырь (СССР). №1547654; Заявл. 25.02.1987 г.

124. Махов В.Е. Установка для измерения электросопротивления диэлектриков (стекол). Р.п.№5 15.05.87 г.

125. А.с.№1547654, кл. Н 01 S 3/16. Активная среда для лазеров и способ ее изготовления./ А.И.Потапов, И.Ш.Насибуллин, В.Е.Поляков, В.Е.Махов, Г.С.Морокина, В.А.Татарский, А.И.Козбырь (СССР). №1547654; Заявл. 25.02.1987 г.

126. Певзнер Б.З., Нюнин Г.И. Влияние ликвации стекла на его проницаемость по отношению к гелию. Физика и химия стекла, 1975, т.1, №4. - С.325.